Cache memory 緩沖儲存器
用來緩沖中央處理單元與低速、低成本儲存器（如DRAM）的小型高速儲存器（如SRAM）.高速緩沖儲存器用于儲存當前使用的數(shù)據(jù)。而數(shù)據(jù)主體仍儲存在低速儲存器中。
Camber 彎度
用于描述整個基板翹曲度的術語。
Capacitance 電容
儲存電荷的靜電單元。在封裝系統(tǒng)中，用于表示引線不連接部分的集總參數(shù)等效電路。在分布式系統(tǒng)中表示傳輸靜電儲存特性。由于電容兩端的電壓變化會引起電流，故可用于電源系統(tǒng)的濾液。
Card 插卡
給線路板提供互連和電源分配的印刷電路板（常是多層的），也為下一級封裝提供互連能力，它又稱子版，可插在主印刷電路板中。
Card-on-board 板上插卡
將多個印刷電路板（卡）垂直連接到另一印刷電路板的封裝技術。
Catalyst 催化劑
在不同條件下(如低溫下)加速化學反應的一種物質，沒有他就不會產生反應，但反應后，他本身并沒有變化。
Cell design, standard(standard cell design) 標準單元設計
用含有一拍初始單元的全擴散或離子注入半導體圓片而實現(xiàn)的半定制產品。他用引線溝道（凹槽）形成交叉。用附加加工工層提供垂直引線，垂直引線可用單元區(qū)域或頂層上的溝道區(qū)�？梢哉{整溝道快讀以適應特定芯片邏輯，所以這類產品的芯片尺寸不固定。
Central processor(CP) 中央處理器
讀取、運算并完成程序指令的計算機處理器。又稱處理器單元（PU）和中央處理單元（CPU）。
Ceramic 陶瓷
無機非金屬材料，如氫氧化鋁、氧化鈹或玻璃陶瓷。其最終特性由高溫處理達到。常在半導體芯片封裝中制備陶瓷基板。
Ceramic ball grid array(CBGA) 陶瓷球柵陣列
使用球柵陣列工藝的陶瓷封裝。
Ceramic column grid array(CCGA) 陶瓷柱柵陣列
使用球柵陣列工藝的陶瓷封裝
Ceramic dual-in-line package(CDIP) 陶瓷雙列直插式封裝
使用陶瓷的雙列直插式封裝。
Ceramic quad flat pack(CQFP) 陶瓷四邊引腳扁平封裝
使用陶瓷的四邊引腳扁平封裝。
Cermet 陶瓷合金
通常由金屬和陶瓷均勻混合而成的固化均質材料。陶瓷合金薄膜一般由介質材料和金屬混合而成。
Channels 信道
計算機系統(tǒng)輸入/輸出的路徑。
Characteristic impedance(Z0) 特征阻抗
通過無限長傳輸線傳播的電信號點他－電流比值。若L代表單位長度電感，C代表單位產毒電容，則Z0=(L/C)0.5 .
Chemical vapor deposition(CVD) 化學氣相沉積
通過降低易揮發(fā)化學物質的氣相而與襯底接觸，從而襯底上淀積電路元件。
Chemorheology 化學流變學
研究聚合物流變與化學性質，流變參數(shù)包括保持溫度，注入速度、壓縮壓力；化學參數(shù)包括反應速度、反應機制、反應動力學及聚合反應后的化學反應終止。
Chip 芯片
無外殼和引腳線的有源或者無源、分立或集成的電子元器件，又稱芯片（die）
Chip carrier 芯片載體
放置半導體器件的專用包封或管殼。在周邊有引腳或背面有焊區(qū)，而不使用擴展引線框架或插入引腳。
Chip design ,depopulated (depopulated chip design) 非常規(guī)芯片設計
門陣列或標準單元陳列芯片。由于慎重考慮了布線能力，從而使自動布線成為可能。這種方法降低了芯片最大容納邏輯單元的能力，但提高了圓片生產效率和電路置換的靈活性。
Chip-on-board(COB) 板上芯片
將芯片直接焊到電路板或基板的多種方案之一。與C4類似，這種方式包括引線鍵合，TAB或焊料互連。在低端或消費類電子系統(tǒng)中，板上芯片常指芯片與電路板直接進行引線鍵合。
Chip-on-chip(COC) 疊層芯片
把未封裝芯片安裝在另一未封裝芯片之上的一種工藝。每個芯片都非常薄，故可以安裝上百個芯片，從而形成三維結構。
Chip-on-flex(COF) 柔性基板上芯片
除了將未封裝IC安裝到柔性印刷線路板上之外，其余與COB類似。
Cladding 包層
粘在金屬芯外的金屬防腐涂層，通常用加熱或滾動方法制備。典型實例是用不銹鋼、鎳合金或銅合金包覆鋼板。包銅引線也是用好這種方法制備的。
Clock skew 時鐘偏移
系統(tǒng)鎖存器輸入端的循環(huán)時間之和，他是由時鐘信號達到時間相關的容限量所造成的。
Coated-metal core substrate 涂層金屬芯基板
由有機或無極絕緣層粘覆在金屬上而形成的基本。絕緣的一面或多面可用于電路淀積。
Coefficient of thermal expansion (CTE) 熱膨脹系數(shù)
溫度變化引起的單位起始長度變化與溫度變化之比。�？s寫為TCE或CTE.
Coffin-Manson equation Coffin-Manson 方程
金屬受到外加應變所引起疲勞壽命的相關方程。由S.S. Manson和L.F. Coffin首先提出，已有人把該方程擴展到可以描述時間和溫度相關的現(xiàn)象。
Cofiring 共燒
同時焙燒厚膜導體和絕緣介質而形成多層結構的一種加工工藝。
Cofired ceramic 共燒陶瓷
由合在一起的“生”陶瓷焙燒而成的多層基板。
Colorant 著色劑
為得到希望的顏色，而加到聚合樹脂的無機或有機化合物。
Column grid array (CGA) 柱柵陣列
柱柵陣列是一種用來粘結SCM或MCM的面陣焊料柱。它把一級封裝連接到下一級封裝（通常是印刷電路板）。它比類似的球柵陣列封裝有更高的可靠性。故在高可靠性封裝時使用。
Compliant bond 柔性粘結劑
使用彈性和/或塑性變形條的粘結劑。可以把電源分配給要接的引腳。
Complimentary metal-oxide semiconductor (CMOS) 互補金屬－氧化物－半導體
把兩個場效應晶體管反極性相接的邏輯單元�？梢允构淖钚�。
Compression seal 壓縮粘結
電子外殼和引腳之間的粘結。當受熱金屬冷卻時，玻璃絕緣體周圍的金屬收縮而形成粘結，因此會形成緊密的壓縮接頭。
Conduction 傳導
導熱介質中熱能從高溫區(qū)向低溫區(qū)的傳輸。
Conduction adhesive 導電粘合劑
把金屬粉末（常用銀）加入到粘合劑（常用環(huán)氧樹脂）中增加導電能力的一種粘合材料。
Conductive epoxy 導電環(huán)氧樹脂
一種環(huán)氧樹脂材料。通過加入金屬粉末（如金或銀）使其導電，最好的導體有銀、銅和金。
Conductive ink technology 導電涂料工藝
用導電涂料直接把引線印刷到電路板表面的一種技術。
Conductor, electrical (electrical conductor) 電導體
容易傳導電流的一類材料，他們的電阻率非常低，常用μΩ/cm 表示其導電性能。最好的導體是金、銀、銅和超導陶瓷。
Conductor, thermal (thermal conductor) 熱導體
能傳到熱的一類材料，如銅、鋁和氧化鈹。
Conformal coating 保形涂料
薄的非導電涂敷層，如塑料或無機材料，用于電路的環(huán)境或機械保護。
Connections 連接
在給定的封裝級別中，互連邏輯部件的引腳，或這一級與下一級封裝的連接。
Connective 可連性
見引線密度。
Contact angle 接觸角
粘結材料（通常像液體焊料這樣的材料）與粘結焊區(qū)直接的夾角，又稱潤濕角。
Controlling collapse chip connection (C4) 可控塌陷芯片連接
把基板和倒裝芯片連接起來的焊料接點。液體焊料的表面張力支撐芯片的重量并控制接頭處的高度（坍陷）
