Accelerated stress test 加速應(yīng)力測試
高于正常工作條件所進行的測試，如超常物理或化學(xué)應(yīng)力條件下所進行的測試。它可以在短時間內(nèi)產(chǎn)生等效下實際工作條件的效果，獲得可測試量，如疲勞失效。
Accelerator 促進劑
為縮短凝膠固化時間，在環(huán)氧樹脂中加入的一種有機化合物。
Active trimming 有源修飾
電路處于工作狀態(tài)時，對直接制作在混合組件或多芯片組件的原件（如電阻）進行修調(diào)的工藝，通常用激光進行修飾。
Additive plating 加成電鍍
通過掩模技術(shù)將導(dǎo)電的，電阻性的和絕緣性的材料依次鍍在襯底上，從而加工混合電路的基板，最后定義圖形、焊區(qū)的單元面積。
Additive process 加成工藝
把導(dǎo)電材料添加到基板特定區(qū)域的一種工藝。基于掩模技術(shù)，反復(fù)使用這種工藝，就可以制作緊密厚度的一組引線。
Advanced statistical analysis program(ASAP) 高級統(tǒng)計分析程序
ASAP是IBM公司的電路分析模擬程序；能完成直流，時域和頻域分析。在所有模擬中，均可使用統(tǒng)計分析來預(yù)測工作容限。其主要特點是他的傳輸線分析程序，可參見SPICE.
Alloy
由兩種及兩種以上固態(tài)溶劑或化合物合成的金屬材料。兩種以上金屬材料相結(jié)合，會形成一種新相或具有每種金屬部分特征的相。
Alpha particle α粒子
一些放射性同位素的衰變產(chǎn)物。它是高能氦核子（MV范圍），能在微電子器件和開關(guān)單元中產(chǎn)生電子空穴，從而引起一些器件軟實效。
Analog circuit 模擬電路
用于產(chǎn)生或處理模擬信號的元器件集合。
Analog-to-digital(A/D) 模擬到數(shù)字
把模擬信號轉(zhuǎn)換為等量模擬數(shù)字值的過程。
Anisotropic adhesive 各向異性導(dǎo)電膠
含有導(dǎo)電小顆粒的特種膠。這種膠尤其在倒裝焊中使用，它可把裸芯片安裝在混合電路中，多芯片組件和電路板的基板上。在倒裝焊技術(shù)中，芯片上的涂點被壓到基板上的對應(yīng)的焊區(qū)，只有在焊區(qū)連接處才引入導(dǎo)電顆粒，因此在焊區(qū)之間會形成良好的點接觸。
Application specific integrated circuit(ASIC) 專用集成電路
在焊接流程中，用于加工芯片上帶有邊緣焊盤和附加焊盤的一種自動焊。它在及其復(fù)雜的芯片及VLSI中使用，也在外部焊盤節(jié)距不能再小的IC中使用，或在必須容納所有I/O的IC中使用。
Array 裂癥
在一塊襯底上，成行成列排列的一組單元（焊盤，管腳）或電路。
Aspect ratio 深寬比
電路板中孔的深度與其直徑之比。
Assembly 組裝
混合電路，其中包括了已經(jīng)連接到下一級封裝的分立元件或集成元件。通常是指插件。
Assembly/rework 組裝/返修
微電子元器件粘結(jié)與拆除過程的術(shù)語。組裝是指把器件及互聯(lián)線安裝到外殼上，而返修則是把器件及互聯(lián)線拆除以給新器件留下位置從新粘結(jié)。對維修或工程變化，返修是必須的。
Backbonding 背面焊接
使芯片的背面與基板焊接，而正面留下，即面朝上焊接。背面焊接的相反工藝是面朝下焊接。
Back-end-of-the-line(BEOL) 后道工序
是指圓芯片上元件（晶體管，電阻等）互聯(lián)的集成電路制造工藝部分，包括接觸區(qū)、絕緣層、金屬層和芯片到外殼鏈接的焊區(qū)制造工藝、把圓芯片化成單塊集成電路的工藝同樣也是BEOL工藝。前道工序（FEOL）是指半導(dǎo)體中單個元器件（晶體管、電阻等）制造的共一部分。
Backplane 背板
用來互聯(lián)多個電路板的一種介質(zhì)，常指特殊的重負荷印刷電路板。
Backside metallurgy(BSM) 背面合金化
與多層陶瓷封裝內(nèi)部導(dǎo)體連接的金屬焊區(qū)，而焊區(qū)與管腳相焊接。
Ball grid array(BGA) 球柵陣列
連接到SCN或MCM的焊球陣列，用于把這一級封裝連接到下一級封裝（通常是印制線路板）。
Ball limiting metallurgy(BLM) 球限金屬化層
焊錫易潤濕的引腳金屬化層。他定義了焊錫區(qū)的尺寸和面積（例如C4和芯片）。BLM把焊球限制到所希望的區(qū)域，并與芯片引線粘結(jié)和接觸。
Bandwidth 帶寬
通過傳輸線能夠可靠傳播的最大脈沖速率或頻率。對數(shù)據(jù)總線而言，帶寬常用來描述數(shù)據(jù)速率，即單線脈沖速率乘以平行總位的數(shù)量。
Bare die 裸芯片
未封裝的集成電路。
BiCMOS 雙極互補金屬－氧化物－半導(dǎo)體
集成電路的一種技術(shù)，低功率CMOS實現(xiàn)邏輯門功能，而高驅(qū)動雙極晶體管實現(xiàn)輸出級功能的一種技術(shù)。
BIFET 雙極場效應(yīng)晶體管
把雙極晶體管和場效應(yīng)晶體管集成在同一芯片上，從而達到高性能并降低成本。
Binder 粘合劑
添加到厚膜復(fù)合層和未焙燒襯底材料的一種（有機）材料，以提供臨時預(yù)燒處理的足夠強度。
BiNMOS 雙極NMOS
一種較新的低壓集成電路技術(shù)。通過雙極晶體管和NMOS晶體管混合而實現(xiàn)的高速低靜態(tài)功耗的輸出級。
Bipolar junction transistor(BJT) 雙極結(jié)構(gòu)晶體管
某一系列的晶體管
Bipolar transistor 雙極晶體管
含有兩個P-N結(jié)。一個在基區(qū)和發(fā)射區(qū)之間而另一個在基區(qū)和收集區(qū)之間。發(fā)射區(qū)注入到基區(qū)的少數(shù)載流子穿過基區(qū)再被收集區(qū)收集。雙極晶體管功耗比場效應(yīng)晶體管大。但有較高性能。
Block copolymer 嵌段共聚物
由化學(xué)結(jié)構(gòu)不同的鏈段交替聚合而成的線型共聚物。交替結(jié)合的鏈段有有規(guī)交替和無規(guī)交替兩種。
built-in srlf-test(BIST) 內(nèi)建自測試
把附加邏輯嵌入元器件內(nèi)部，因而可進行自身測試的一種測試方式。
Blind via 盲孔
僅能從基板一面看到的過孔。
Board 線路板
能安裝較小插卡或組件的有機印刷電路卡或電路板。通過引線或電纜與下一級連接。
Boiling 沸騰
過熱蒸汽液體中發(fā)生相變并形成氣泡。
Bondability 可鍵合性
鍵合區(qū)表面的特性和條件要能滿足互聯(lián)材料的鍵合（例如超聲鍵合或熱壓引線鍵合）。
Brazing 釬焊接
通過熔化有色金屬（如共熔金錫合金）而實現(xiàn)的金屬焊接，其有色金屬熔點比焊接的金屬低。又稱錫焊。
BTAB 凸點載帶自動焊
與載帶自動焊類同。與芯片上的凸點對應(yīng)，把凸點制備在帶形材料的焊區(qū)。
Bumped tape 凸點載帶
用于TAB工藝的載帶。在這種載帶中，把內(nèi)引腳焊區(qū)做到載帶的凸點上而不是芯片的凸點上。這保證了內(nèi)引腳焊區(qū)與被焊接芯片的非焊區(qū)隔離。
Buried via 埋孔
導(dǎo)電層在內(nèi)部與基板相連的一種過孔。而從基板兩側(cè)均看不見過孔。
Burn-in 老化
電應(yīng)力作用下的器件（通常是升高溫度或電壓），在一定時間內(nèi)引起器件實效的工藝。
Burn-off 燒掉
把不需要的有機物除去，通常是把生瓷片上的有機物除去，或把基板上的有機物除去。
